高低溫測(cè)試箱的測(cè)試步驟：

　　1.預(yù)處理：將被測(cè)樣品放置在正常的試驗(yàn)大氣條件下，直至達(dá)到溫度穩(wěn)定。

　　2.初始檢測(cè)：將被測(cè)樣品與標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)照，符合要求后直接放入高低溫沖試驗(yàn)箱內(nèi)即可。

　　3.開(kāi)始試驗(yàn)：

　　A、在樣品斷電的狀態(tài)下，試驗(yàn)樣品應(yīng)按標(biāo)準(zhǔn)要求放置在試驗(yàn)箱內(nèi)，先將試驗(yàn)箱（室）內(nèi)溫度下降到-50℃，保持4個(gè)小時(shí)；請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，這一步非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生20℃以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè)試。

　　B、低溫階段結(jié)束后，在5min內(nèi)將試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)換到已調(diào)節(jié)到90℃的高溫試驗(yàn)箱（室）內(nèi)，保持4h或者直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，與低溫測(cè)試相反，升溫過(guò)程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行A、B測(cè)試步驟。

　　C、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

　　E、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

　　F、重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)方法，以完成三個(gè)循環(huán)周期。根據(jù)樣件大小與空間大小，時(shí)間可能會(huì)略有誤差。

　　G、恢復(fù)：試驗(yàn)樣品從試驗(yàn)箱內(nèi)取出后，應(yīng)在正常的試驗(yàn)大氣條件下進(jìn)行恢復(fù)，直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定。

　　H、后檢測(cè)：對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)中的受損程度及其它方法進(jìn)行檢測(cè)結(jié)果評(píng)定。

　　高低溫測(cè)試箱操作不當(dāng)造成危害，故以下幾點(diǎn)注意事項(xiàng)：

　　1、為保證設(shè)備及試驗(yàn)的安全，請(qǐng)安裝外部保護(hù)接地，并按技術(shù)規(guī)格要求供給電源;

　　2、設(shè)備嚴(yán)禁用于易燃易爆、有毒、強(qiáng)腐蝕物品的試驗(yàn);

　　3、非專業(yè)人員不得拆卸、維修;

　　4、設(shè)備應(yīng)有可靠接地;

　　5、試驗(yàn)中除非必要請(qǐng)勿打開(kāi)箱門(mén)或進(jìn)入箱內(nèi)，否則可能引起人身傷害以及設(shè)備誤動(dòng)作;

　　6、設(shè)備箱門(mén)門(mén)鎖僅能從外部打開(kāi)，進(jìn)入箱內(nèi)必須有人監(jiān)護(hù);

　　7、如果箱內(nèi)放入發(fā)熱試樣，試樣請(qǐng)使用外加電源，不要直接使用設(shè)備本身電源;

　　8、設(shè)備設(shè)有多種保護(hù)措施，請(qǐng)定期檢查;

　　9、箱體內(nèi)溫度≥55℃時(shí)，請(qǐng)勿打開(kāi)制冷壓縮機(jī)，以保證壓縮機(jī)長(zhǎng)壽命正常的運(yùn)行;

　　10、有制冷功能的產(chǎn)品搬運(yùn)時(shí)傾角不得大于45℃，放置到位后，應(yīng)靜放1～2天再開(kāi)機(jī)，有利于制冷系統(tǒng)能正常工作并延長(zhǎng)壽命;